Descripción
Especificaciones técnicas:
-
Tipo: Diodo rectificador de uso general (silicio)
-
Función principal: Rectificación de CA a CC en fuentes de alimentación de baja frecuencia, protección contra inversión de polaridad y circuitos de conmutación general
-
Tensión inversa repetitiva pico (Vʀʀᴍ): 50 V
-
Tensión RMS inversa (Vʀ(ʀᴍꜱ)): 35 V
-
Corriente directa promedio (Iꜰ(ᴀᴠ)): 1.0 A
-
Corriente de pico no repetitiva (Iꜰꜱᴍ): 30 A (para un pulso sinusoidal de 8.3 ms)
-
Tensión directa (Vꜰ): Máx. 1.1 V (a Iꜰ = 1.0 A)
-
Corriente inversa (Iʀ): Máx. 5 µA (a Vʀ = 50 V, Tⱼ = 25 °C)
-
Tiempo de recuperación inversa (tʀʀ): 2.0 µs (típico)
-
Capacitancia de unión (Cⱼ): 15 pF (típica, medida a 1 MHz y Vʀ = 4.0 V)
-
Temperatura de unión operativa (Tⱼ): -55 °C a +150 °C (algunas variantes hasta +175 °C)
-
Temperatura de almacenamiento (Tₛₜ₉): -55 °C a +150 °C
-
Encapsulado: DO-41
Valoraciones
No hay valoraciones aún.