| Máximos Absolutos |
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| Voltaje Repetitivo de Estado de Bloqueo |
VDRM / VRRM |
500 |
V |
Voltaje pico en bloqueo directo e inverso |
| Corriente RMS en Estado de Conducción |
IT(RMS) |
12 |
A |
Corriente eficaz máxima continua |
| Corriente Promedio en Estado de Conducción |
IT(AV) |
7.5 |
A |
Corriente promedio máxima en onda seno |
| Corriente Directa de Pico No Repetitiva |
ITSM |
120/132 |
A |
50 Hz / 60 Hz, medio ciclo sinusoidal |
| Características Eléctricas |
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| Voltaje de Disparo de Compuerta (Máx.) |
VGT |
1.5 |
V |
Voltaje necesario en la compuerta para activar el dispositivo |
| Corriente de Disparo de Compuerta (Máx.) |
IGT |
15 |
mA |
Corriente necesaria en la compuerta para activar el dispositivo |
| Corriente de Mantenimiento (Máx.) |
IH |
20 |
mA |
Corriente mínima en el ánodo para mantener conducción |
| Voltaje en Estado de Conducción (Máx.) |
VTM |
1.75 |
V |
Caída de voltaje directo cuando conduce corriente |
| Corriente de Fuga en Estado de Bloqueo (Máx.) |
IDRM / IRRM |
0.5 |
mA |
Corriente de fuga a voltaje de bloqueo nominal |
| Temperatura y Embalaje |
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| Rango de Temperatura de Operación |
Tj |
-40 a +125 |
°C |
Temperatura de unión del semiconductor |
| Tipo de Montaje |
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THT (Through Hole) |
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Montaje de agujero pasante en la placa de circuito impreso |
| Empaque / Estuche |
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TO-220AB |
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Estuche de 3 terminales, el más común para transistores de potencia |
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