Descripción
Especificaciones tecnicas:
Generales:
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Capacidad: 64 Mbit (8 Mbytes)
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Tecnología: Flash NOR, proceso de 65 nm con puerta flotante
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Interfaz: SPI (Serial Peripheral Interface)
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Modos de E/S: Single, Dual, Quad I/O y QPI (Quad Peripheral Interface)
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Rango de voltaje: 2.7 V – 3.6 V (alimentación única)
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Compatibilidad I/O: CMOS
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Temperatura de operación:
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Industrial: -40 °C a +85 °C
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Industrial Plus: -40 °C a +105 °C
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Automotriz (AEC-Q100): -40 °C a +125 °C
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Rendimiento:
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Frecuencia máxima:
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SDR (Single/Dual/Quad Read): 108 MHz
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DDR (Quad Read): 54 MHz
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Rendimiento de lectura: hasta 54 MB/s (Quad I/O DDR)
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Corriente (típico):
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Lectura (108 MHz): 20 mA
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Programación / borrado: 17 mA
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Standby (SPI): 20 µA
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Deep Power-Down: 2 µA
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Velocidad de programa: ~569 KB/s
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Velocidad de borrado (sector 4 KB): ~61 KB/s
Arquitectura de memoria:
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Página: 256 bytes (para programación)
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Sector: 4 KB
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Medio-bloque: 32 KB
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Bloque: 64 KB











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