Memoria W27C512 EEPROM Paralela 512 Kbit

Descripción

Especificaciones Técnicas:

Generales y de Memoria

• Capacidad: 512 Kbit (64K x 8 bits)

• Interfaz: Paralela

• Tipo de Memoria: EEPROM (borrado eléctrico en chip)

• Organización: 65,536 x 8 bits

Rendimiento

• Tiempo de Acceso: 45, 70, 90 o 120 ns (según versión)

• Modo de Operación: Estático completo

• Entradas/Salidas: Compatibles TTL/CMOS

Consumo Eléctrico

• Voltaje de Alimentación (Vcc): 5V ±5% (4.75V a 5.25V)

• Corriente en Lectura: 30 mA (máx.)

• Corriente en Espera (Standby): 1 mA (máx.)

• Corriente de Programa/Borrado: 30 mA (máx.)

Voltajes Especiales

• Voltaje de Programa: +12V

• Voltaje de Borrado: +14V

• Voltaje en A9 / OE/Vpp: Hasta 14.5V