Descripción
Especificaciones técnicas:
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Tipo: Diodo rectificador de silicio de uso general (Standard Recovery Rectifier)
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Función principal: Rectificación de CA a CC en fuentes de alimentación de baja frecuencia, circuitos rectificadores en puente, protección contra inversión de polaridad y supresión de picos
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Tensión inversa repetitiva pico (Vʀʀᴍ): 1000 V (1 kV)
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Tensión RMS inversa (Vʀ(ʀᴍꜱ)): 700 V
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Corriente directa promedio (Iꜰ(ᴀᴠ)): 1.0 A
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Corriente de pico no repetitiva (Iꜰꜱᴍ): 30 A (para un pulso sinusoidal de 8.3 ms)
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Tensión directa (Vꜰ): Máx. 1.1 V (a Iꜰ = 1.0 A) ; típica 0.7 V-0.8 V a baja corriente
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Corriente inversa (Iʀ): Máx. 5 µA (a Vʀ = 1000 V, Tⱼ = 25 °C)
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Temperatura de almacenamiento (Tₛₜ₉): -65 °C a +150 °C
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Encapsulados: DO-41
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