1und. IGBT IKW40N65ET7 Infineon | 650V 40A TO-247

Descripción

Especificaciones tecnicas:

Especificaciones Generales y Mecánicas

• Tipo de componente: IGBT de potencia con diodo antiparalelo EC7 integrado

• Tecnología: TRENCHSTOP™ IGBT7 T7 (7ª generación) con diodo suave de recuperación rápida

• Tensión Colector-Emisor (Vces): 650 V

• Corriente de Colector (Ic) – Continua:

  • 76 A a 25°C (capacidad máxima)

  • 40 A (corriente nominal de operación)

• Corriente de Colector Pulsada (Icm): 120 A

• Potencia de disipación (Pd): 230.8 W

• Caso o encapsulado: TO-247-3 (PG-TO247-3)

• Montaje: Through Hole (agujero pasante)

• Peso aproximado: 5.42 gramos

Límites Absolutos Máximos y Térmicos

• Temperatura de unión máxima (Tvj max): 175 °C

• Temperatura de operación mínima: -40 °C

• Voltaje Gate-Emisor (Vges): ±20 V

• Corriente de fuga Gate-Emisor (IGES): 100 nA

• Calificación: Automotive AEC-Q101

Características Eléctricas (TA=25°C)

• Voltaje de saturación Colector-Emisor VCE(sat):

  • Típico/Máximo: 1.35 V / 1.65 V a 40A, VGE = 15V

  • Característica: Muy bajo VCEsat, 20% menor que generación anterior

• Voltaje umbral Gate-Emisor VGE(th): 1.65V típico (IC = 40A, VGE = 15V)

• Carga de Gate (Qg): 235 nC

• Tiempo de recuperación inversa del diodo (trr): 85 ns