1und. IGBT IXYS IXH100N65C5 | 100A, 650V, TO-247

Descripción

Especificaciones tecnicas:

Especificaciones Generales

• Tipo de componente: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de potencia

• Tecnología: XPT™ (thin-wafer) + 5ª generación (GenX5™) Trench IGBT

• Tensión Colector-Emisor (VCES): 650 V

• Corriente de Colector (IC) – Continua:

  • 230 A a 25°C

  • 100 A a 110°C (Corriente nominal de operación)

• Corriente de Colector Pulsada (ICM): 560 A

• Potencia de disipación (Ptot): 750 W

• Caso o encapsulado: TO-247 (TO-247AD)

• Peso aproximado: 6 gramos

Límites Absolutos Máximos y Térmicos

• Temperatura de unión máxima (TJ max): 175 °C

• Temperatura de operación mínima: -55 °C

• Resistencia térmica unión-cápsula (RthJC): 0.18 K/W

• Voltaje Gate-Emisor (VGES): ±20 V

• Voltaje Gate-Emisor transitorio (VGEM): ±30 V

Características Eléctricas (TA=25°C)

• Voltaje de saturación Colector-Emisor VCE(sat):

  • Típico: 1.68 V a 75A, VGE = 15V

  • Máximo: 2.0 V a 75A, VGE = 15V

  • A 150°C: 1.92 V típico

• Voltaje umbral Gate-Emisor VGE(th): 3.7V min, 5.8V max (IC = 250µA, VCE = VGE)

• Corriente de fuga Gate-Emisor (IGES): ±100 nA

• Carga de Gate (Qg): 313 nC

• Capacitancias:

  • Capacitancia de entrada (Cies): 5460 pF típico

  • Capacitancia de salida (Coes): 245 pF típico

  • Capacitancia de transferencia reversa (Cres): 180 pF típico