IGBT Infineon K40H1203 | 40A, 1200V, TO-247

Descripción

Especificaciones técnicas:

Especificaciones Generales y Mecánicas

• Tipo de componente: IGBT de potencia con diodo antiparalelo integrado (DuoPack)

• Nomenclatura equivalente: IKW40N120H3 (el K40H1203 es el código marcado en el encapsulado)

• Tecnología: TRENCHSTOP™ IGBT4 con tecnología Trench y Fieldstop

• Tensión Colector-Emisor (Vces): 1200 V

• Corriente de Colector (Ic) – Continua:

  • 40 A a 100°C (corriente nominal de operación)

  • 80 A a 25°C (capacidad máxima)

• Corriente de Colector Pulsada (Icm): 160 A

• Potencia de disipación (Pd): 483 W

• Caso o encapsulado: TO-247-3 (PG-TO247-3)

• Configuración: N-Channel IGBT con diodo antiparalelo

• Peso aproximado: 6.1 gramos

Límites Absolutos Máximos y Térmicos

• Temperatura de unión máxima (Tj max): 175 °C

• Temperatura de almacenamiento (Tstg): -55 °C a +175 °C

• Temperatura de operación mínima: -40 °C

• Voltaje Gate-Emisor (Vges): ±20 V

• Corriente de fuga Gate-Emisor (IGES): 600 nA

• Resistencia térmica unión-ambiente (Rth(j-a)): 40 K/W

• Capacidad de cortocircuito (tsc): 10 µs

Características Eléctricas (TA=25°C)

• Voltaje de saturación Colector-Emisor VCE(sat):

  • Típico: 2.05 V

  • Máximo: 2.4 V @ IC = 40 A

  • Característica: Muy bajo VCEsat para alta eficiencia

• Carga de Gate (Qg): 185 nC (típico)

• Inductancia interna del emisor (LE): 13.0 nH