1und. IGBT Infineon IKQ100N120CH7 | 100A, 1200V, TO-247

Descripción

Especificaciones tecnicas:

Especificaciones Generales y Mecánicas

• Tipo de componente: IGBT de potencia con diodo antiparalelo integrado

• Tecnología: TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 (7ª generación)

• Tensión Colector-Emisor (Vces): 1200 V

• Corriente de Colector (Ic) – Continua:

  • 166 A a 25°C (capacidad máxima)

  • 100 A (corriente nominal de operación)

• Corriente de Colector Pulsada (Icm): 400 A

• Potencia de disipación (Pd): 721 W

• Caso o encapsulado: TO-247-3 (PG-TO247-3-U01)

• Montaje: Through Hole (agujero pasante)

• Peso aproximado: 6.9 gramos

Límites Absolutos Máximos y Térmicos

• Temperatura de unión máxima (Tvj max): 175 °C

• Temperatura de operación mínima: -40 °C

• Voltaje Gate-Emisor (Vges): ±20 V

• Resistencia térmica unión-cápsula (RthJC): 0.24 K/W (valor típico)

Características Eléctricas (TA=25°C)

• Voltaje de saturación Colector-Emisor VCE(sat):

  • Típico: 1.7 V a 100A, VGE = 15V, Tvj = 25°C

  • Máximo: 2.15 V a 100A, VGE = 15V

• Voltaje umbral Gate-Emisor VGE(th): 4.7 V típico (IC = 1.6mA)

• Corriente de fuga Colector-Emisor (ICES): 100 µA (VCE = 1200V, VGE = 0V)

• Carga de Gate (Qg): 696 nC

• Capacitancias:

  • Capacitancia de entrada (Cies): 13 nF

  • Capacitancia de salida (Coes): Valor en datasheet

  • Capacitancia de transferencia reversa (Cres): Valor en datasheet