IGBT STMicroelectronics STGYA50M120DF3 | 50A, 1200V, TO-247

Descripción

Especificaciones tecnicas:

Especificaciones Generales y Mecánicas

• Tipo de componente: IGBT de potencia con diodo antiparalelo integrado

• Tecnología: Trench gate field-stop (estructura de zanja con campo de parada), serie M de baja pérdida

• Tensión Colector-Emisor (Vces): 1200 V

• Corriente de Colector (Ic):

  • 50 A (corriente nominal, especificación del fabricante)

  • 100 A (capacidad máxima reportada por distribuidores)

• Potencia de disipación (Pd): 535 W

• Caso o encapsulado: Max247 long leads (TO-247-3)

• Configuración: Single transistor

• Montaje: Through Hole (agujero pasante)

• Peso aproximado: 6.9 gramos

Límites Absolutos Máximos y Térmicos

• Temperatura de unión máxima (Tj max): 175 °C

• Temperatura de operación mínima: -55 °C

• Voltaje Gate-Emisor (Vges): ±20 V

• Grado: Industrial

• Tiempo de soporte de cortocircuito: 10 µs

Características Eléctricas (TA=25°C)

• Voltaje de saturación Colector-Emisor VCE(sat):

  • Típico: 1.7 V @ IC = 50 A

  • Característica: Coeficiente de temperatura positivo

• Carga de Gate (Qg): 194 nC

• Distribución paramétrica: Estrecha y controlada