IGBT onsemi FGY75T120SQDN | 75A, 1200V, TO-247

Descripción

 Especificaciones técnicas:

Especificaciones Generales

• Tipo de componente: IGBT de potencia con diodo antiparalelo integrado (Free Wheeling Diode)

• Tecnología: Ultra Field Stop Trench (estructura de zanja con campo de parada de última generación)

• Tensión Colector-Emisor (Vces): 1200 V

• Corriente de Colector (Ic) – Continua:

  • 75 A (corriente nominal de operación)

  • 150 A a 25°C (capacidad máxima)

• Corriente de Colector Pulsada (Icm): 300 A

• Potencia de disipación (Pd): 790 W (según hoja de datos de DigiKey)  – Algunas fuentes indican 395 W

• Caso o encapsulado: TO-247-3 (TO-247-3 Variant)

• Configuración: Single transistor

• Montaje: Through Hole (agujero pasante)

• Peso aproximado: 6.54 gramos

Límites Absolutos Máximos y Térmicos

• Temperatura de unión máxima (Tj max): 175 °C

• Temperatura de operación mínima: -55 °C

• Voltaje Gate-Emisor (Vges): ±20 V (según TME) ; hasta ±30 V según Everything PE

• Corriente de fuga Gate-Emisor (IGES): ±200 nA

Características Eléctricas (TA=25°C)

• Voltaje de saturación Colector-Emisor VCE(sat):

  • Típico: 1.7 V @ IC = 75 A

  • Máximo: 1.95 V @ IC = 75 A, VGE = 15V

• Voltaje umbral Gate-Emisor VGE(th): 4.5 V típico (IC = 0.4 mA)

• Carga de Gate (Qg): 399 nC