IRFZ44N Mosfet potencia N 55V 49A TO-220, 1und

Descripción

Especificaciones tecnicas:

General

• Tipo: MOSFET de potencia, canal N (N-Channel)

• Tecnología: HEXFET® (proceso avanzado de International Rectifier)

• Paquete: TO-220AB (montaje a través de orificio)

• Voltaje de ruptura drenaje-fuente (V(BR)DSS): 55 V (mínimo)

• Voltaje de compuerta-fuente (VGS): ±20 V

Corriente y Potencia

• Corriente de drenaje continua (ID):

  • @ TC = 25°C: 49 A

  • @ TC = 100°C: 35 A

• Corriente de drenaje pulsada (IDM): 160 A

• Disipación de potencia (PD):

  • @ TC = 25°C: 94 W

• Factor de derrateo lineal: 0.63 W/°C

Resistencia y Capacitancias

• Resistencia drenaje-fuente en conducción (RDS(on)): 17.5 mΩ (máximo) (con VGS = 10 V)

• Capacitancia de entrada (Ciss): 1470 pF (típico)

• Capacitancia de salida (Coss): 360 pF (típico)

• Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 270 pF (típico)

Características de Conmutación y Compuerta

• Carga total de compuerta (Qg): 67 nC (máximo)

• Voltaje umbral de compuerta (VGS(th)): 2 V – 4 V