Descripción
Especificaciones tecnicas:
General
-
Tipo: MOSFET de potencia, canal N (N-Channel), modo de enriquecimiento (Normally-Off)
-
Tecnología: DMOS vertical, proceso de compuerta de silicio
-
Voltaje de ruptura drenaje-fuente (V(BR)DSS): 60 V (mínimo)
-
Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±30 V
Corriente y Potencia
-
Corriente de drenaje continua (ID): 200 mA
-
Corriente de drenaje pulsada (IDM): 500 mA
-
Disipación de potencia (PD):
-
@ TA = 25°C: 400 mW para el encapsulado TO-92 en montaje superficial.
-
Resistencia y Capacitancias
-
Resistencia drenaje-fuente en conducción (RDS(on)):
-
5 Ω (máx.) @ VGS = 10V, ID = 500 mA
-
5.3 Ω (máx.) @ VGS = 4.5V, ID = 75 mA
-
-
Capacitancia de entrada (Ciss): 60 pF (máx.)
-
Capacitancia de salida (Coss): 25 pF (máx.)
-
Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 5 pF (máx.)
Características de Conmutación y Compuerta
-
Carga total de compuerta (Qg): No especificada para este fabricante, pero típicamente alrededor de 2 nC a 5V
-
Voltaje umbral de compuerta (VGS(th)): 0.8 V – 3 V
-
Tiempo de encendido (td(on)): 10 ns (máx.)
-
Tiempo de apagado (td(off)): 10 ns (máx.)
Valoraciones
No hay valoraciones aún.