IRF540N MOSFET | N-Channel 100V, 33A, TO-220, 1und

Descripción

Especificaciones técnicas:

General

• Tipo: MOSFET de potencia, canal N (N-Channel), modo de enriquecimiento

• Tecnología: HEXFET® (proceso avanzado)

• Voltaje de ruptura drenaje-fuente (V(BR)DSS): 100 V (mínimo)

• Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20 V

Corriente y Potencia

• Corriente de drenaje continua (ID):

  • @ TC = 25°C: 33 A

  • @ TC = 100°C: 23 A

• Corriente de drenaje pulsada (IDM): 110 A

• Disipación de potencia (PD):

  • @ TC = 25°C: 130 W

• Factor de derrateo lineal: 0.87 W/°C

• Corriente de avalancha (IAR): 16 A

• Energía de avalancha repetitiva (EAR): 13 mJ

• Energía de avalancha de pulso único (EAS): 185 mJ

• dv/dt de recuperación del diodo: 7.0 V/ns

Resistencia y Capacitancias

• Resistencia drenaje-fuente en conducción (RDS(on)):

  • 44 mΩ (máx.) @ VGS = 10V, ID = 16A

  • 40 mΩ (máx.) @ VGS = 10V, ID = 33A

• Capacitancia de entrada (Ciss): 1960 pF (típico)

• Capacitancia de salida (Coss): 250 pF (típico)

• Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 40 pF (típico)

Características de Conmutación y Compuerta

• Carga total de compuerta (Qg): 71 nC (máx.) @ VGS = 10V

• Carga compuerta-fuente (Qgs): 14 nC (típico)

• Carga compuerta-drenaje (Qgd – Miller): 21 nC (típico)

• Voltaje umbral de compuerta (VGS(th)): 2.0 V – 4.0 V

• Transconductancia directa (gfs): 21 S (típico)

• Tiempo de retardo de encendido (td(on)): 11 ns (típico)

• Tiempo de subida (tr): 35 ns (típico)

• Tiempo de retardo de apagado (td(off)): 39 ns (típico)

• Tiempo de caída (tf): 35 ns (típico)