BS250 MOSFET | P-Channel 45V, 230mA, TO-92, 2und

Descripción

Especificaciones técnicas:

General

• Tipo: MOSFET de potencia, canal P (P-Channel), modo de enriquecimiento (Normally-Off)

• Voltaje de ruptura drenaje-fuente (V(BR)DSS): 45V – 60V (según versión)

• Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20V a ±30V

Corriente y Potencia

• Corriente de drenaje continua (ID):

  • BS250P (Diodes): 230mA

  • BS250KL (Vishay): 270mA

  • BS250FTA (SMD): 90mA

• Disipación de potencia (PD):

  • TO-92 / E-Line: 700mW – 800mW

  • SOT-23 (SMD): 330mW

Resistencia y Capacitancias

• Resistencia drenaje-fuente en conducción (RDS(on)):

  • BS250P: 14Ω (máx.) @ VGS = 10V

  • BS250KL: 6Ω (típ.) / 8Ω (máx.)

  • BS250FTA: 9Ω (máx.)

• Capacitancia de entrada (Ciss): 15pF – 60pF (típico)

Características de Conmutación y Compuerta

• Voltaje umbral de compuerta (VGS(th)): -1V a -3.5V (típ. -1.9V)

• Tiempo de subida (tr): ~15.5 ns

• Tiempo de caída (tf): ~15.5 ns