IRF3205 MOSFET | N-Channel 55V, 110A, TO-220, 1 und

Descripción

Especificaciones tecnicas:

General

• Tipo: MOSFET de potencia, canal N (N-Channel)

• Tecnología: HEXFET® (Quinta Generación)

• Voltaje de ruptura drenaje-fuente (V(BR)DSS): 55 V

• Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20 V

Corriente y Potencia

• Corriente de drenaje continua (ID):

  • @ TC = 25°C: 110 A

  • @ TC = 100°C: 80 A

• Corriente de drenaje pulsada (IDM): 390 A

• Disipación de potencia (PD):

  • @ TC = 25°C: 200 W

• Factor de derrateo lineal: 1.3 W/°C

Resistencia y Capacitancias

• Resistencia drenaje-fuente en conducción (RDS(on)): 8.0 mΩ (máx.)

• Capacitancia de entrada (Ciss): 3247 pF (típico)

• Capacitancia de salida (Coss): 900 pF (máx.)

• Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 720 pF (máx.)

Características de Conmutación y Compuerta

• Carga total de compuerta (Qg): 146 nC (máx.)

• Voltaje umbral de compuerta (VGS(th)): 2 V – 4 V

• Tiempo de encendido (td(on)): 14 ns (típico)

• Tiempo de apagado (td(off)): 50 ns (típico)