Descripción
Especificaciones tecnicas:
General
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Tipo: MOSFET de potencia, canal N (N-Channel)
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Tecnología: HEXFET® (Quinta Generación)
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Voltaje de ruptura drenaje-fuente (V(BR)DSS): 200 V
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Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20 V
Corriente y Potencia
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Corriente de drenaje continua (ID):
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@ TC = 25°C: 50 A
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@ TC = 100°C: 35 A
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Corriente de drenaje pulsada (IDM): 200 A
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Disipación de potencia (PD):
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@ TC = 25°C: 300 W
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Resistencia y Capacitancias
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Resistencia drenaje-fuente en conducción (RDS(on)):
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40 mΩ (máx.) @ VGS = 10V, ID = 28A
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50 mΩ (máx.) @ VGS = 10V
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Capacitancia de entrada (Ciss):
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4057 pF (típico)
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3538 pF (típico)
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Capacitancia de salida (Coss): No especificada directamente
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Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 280 pF
Características de Conmutación y Compuerta
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Carga total de compuerta (Qg): 234 nC – 244 nC @ VGS = 10V
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Voltaje umbral de compuerta (VGS(th)): 2V – 4V
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Transconductancia directa (gfs): 27 S
Estos datos son referenciales ; se recomienda consultar la hoja de datos original para aplicaciones críticas.
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