| Tipo de Salida |
Fototransistor NPN |
Encapsulado DIP-4 de 4 pines |
| Voltaje de Aislamiento |
5000 Vrms |
Aislamiento entrada-salida |
| Corriente de Entrada (If) |
50 mA (Máx.) |
Corriente directa del LED interno |
| Voltaje Directo del LED (Vf) |
1.2 V (Típ.) / 1.4 V (Máx.) |
Para If = 20 mA |
| Voltaje Colector-Emisor (Vce) |
35 V (Mín.) / 70 V (Máx.) |
Depende de la versión y fabricante |
| Corriente de Salida (Ic) |
30 – 50 mA (Máx.) |
Corriente de colector del fototransistor |
| CTR (Rango) |
50% (Mín.) – 600% (Máx.) |
Medido a If = 5 mA, Vce = 5 V |
| Tiempo de Subida (tr) |
4 µs (Típ.) |
Con Vce = 2 V, Ic = 2 mA, RL = 100 Ω |
| Tiempo de Bajada (tf) |
3 µs (Típ.) |
|
| Voltaje de Saturación (Vce sat) |
0.1 – 0.2 V |
If = 20 mA, Ic = 1 mA |
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